본문 ▶실험 목표 반도체 Process를 이용하여 기본적인 MOS capacitor를 제작하고, C-V 특성을 측정함으로써 반도체 공정을 기본적으로 이해할 수 있도록 한다. ▶실습에 쓰인 장비 및 주의사항 ☞장비 Marking & resistivity 측정 Laser Masker & 4-point probe Cleaning Wet Station Oxidation & oxide thickness 측정 Furnace & Ellipsometer(M-2000V) Backside oxide etch Dry Etcher Metal deposition Endura sputter Photo lithography Nikon stepper & Aligner Metal wet etching Wet Station(WA-1B) PR Strip & metal thickness 측정 Wet Station(WS-10C) C-V 특성 HP4280A 하고 싶은 말 참고자료로 활용하셔서 좋은 결과 있기를 바랍니다. 키워드 실습, 레포트, 보고서, 보고 |
댓글 없음:
댓글 쓰기