다이오드의 특성 측정

다이오드의 특성 측정

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본문 1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 이론 (1) 다이오드 반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다. 다이오드는 그림 19-1과 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로 되어 있다. P형 쪽을 (+)극, N형 쪽을 (-)에 접속하면 화살표 방향으로 전류가 흐르는데 이와 같은 접속 방법을 순방향 바이어스라고 한다. 이 실험에서는 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 어떻게 변화하는가와 인가 전압의 방향을 반대로 했을 때의 전류 변화를 관찰한다. 참고문헌 4. 참고문헌 저자 - 전계석 ․ 고대식 ․ 김종진 ․ 전영집 공저 책제목 - 전기전자공학실험 출판사 - 포인트 페이지 - 171~181 하고 싶은 말 키워드 특성, 측정, 다이오드