전자공학 MOS CAPACITOR의 C-V, I-V 특성평가

전자공학 MOS CAPACITOR의 C-V, I-V 특성평가

[전자공학] MOS CAPACITOR의 C-V, I-V 특성평가.pptx

목차 실험 목적 실험 과정 실험 결과 C-V 측정 SiO2 두께(5, 10, 15nm) 전극의 크기(1, 2, 3mm) 오차 및 원인 I-V 측정 SiO2 두께(5, 10, 15nm) 전극의 크기(1, 2, 3mm) 오차 및 원인 결론 본문 MOS Capacitor 제작 SiO2의 두께 및 전극의 크기 변화에 따른 C-V, I-V 관계 측정 및 최적 조건 도출 중략 VFB와 VTH가 왼쪽으로 이동 이상적인 MOS cap 전극 일함수=기판 일함수 실제 MOS cap 전극과 기판사이 일함수 존재 산화막과 기판 사이에 Fixed charge(Qf) 존재 Qf에 의한 효과 적용 VFB,Qf=VFB-Qf/Cox 키워드 전자공학, 특성평가, MOS, IV, CAPACITOR