x-선 회절분석 기본 원리 XRF기본원리

x-선 회절분석 기본 원리 XRF기본원리

x-선 회절분석 기본 원리 [XRF기본원리].hwp

본문 1-1. X-선의 성질 X-선은 빛과 마찬가지로 보이지 않으며 직진성을 가지고 불투명한 물질에 대해서도 침투력을 나타내어 여러 분야에 유용하다. 특히, 불투명한 물체의 내부구조가 미세구조 연구에 주로 이용되어진다. X-선은 두 가지 서로 다른 원인에 의해 발생될 수 있다. 첫째 X-선관의 target에 부딪힌 전자들의 연속적인 감속과정에서 그들의 kinetic energy가 photon energy로 전환됨에 의해 생기는 것으로 continuous spectrum을 나타낸다. 둘째 target 물질 자체에 원인이 있어 생기는 것으로서 characteristic line 이라 하며 target 물질의 종류에 따라 그것이 나타나는 파장과 강도가 다르며 K excitation voltage라 불리는 특정 voltage 이상에서 발생되고 K, L, M line 으로 구분된다. 이것은 여기된 inner shell의 전자가 튀어 나가고 outer shell의 전자가 빈자리를 메꾸기 위한 전자전이를 일으키는 것이 원인이 되어 발생된다. 이러한 특성 X-선은 critical K excitation voltage 이상일 때 연속 X-선의 어느 특정 파장에서 sharp한 peak로 나타나게 된다. 또한 voltage가 높아지면 peak의 intensity는 증가하나 특성X-선이 나타나는 파장은 불변한다. X-선은 침투(penetration) 성질을 나타내지만 물질층을 통과할 때에 산란 및 흡수에 의해 그 세기가 감소한다. 이 때 흡수효과가 더 크며 흡수(Absorption)는 물질의 특성으로서 그 물질의 흡수계수, 두께 등에 의존된다. 키워드 기본, 원리, 분석, 회절분석, XRF기본원리