2016년 10월 5일 수요일

신소재공학 Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해

신소재공학 Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해.pptx


목차
실험 목적

실험 이론

실험 방법

결과 및 토의


본문
1. 실험 목적

Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.


참고문헌
1. DC magnetron sputtering 방법으로 제조한 Ti 박막의 물리적 특성 연구 = (The) Study on the physical propeties of Ti thin films fabricated by DC magnetron sputtering
2. 이성철 , Strain gauge용 NiCrFe 박막의 저항 특성에 미치는 sputter 압력 및 박막 두께의 영향 = Effects of sputtering pressure and flim thickness on the resistivity properties of NiCrFe thin film for strain gauge ,2001. ,학위논문(석사) ,한국과학기술원
3. Rointan F. Bunshah Deposition Technologies for Films and Coatings Developments and Applications , noyes publications (1982)



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열심히 작성하고 좋은 평을 받은 리포트 입니다.

키워드
실험, 박막, 스퍼터링, 증착, 방법, 원리

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